Слишком сложно? Тогда запросите консультацию специалиста!
Наша компания занимается тем, что помогает студентам выполнять различные учебные работы на заказ. Вы можете ознакомиться с перечнем выполняемых работ, а так же с их стоимостью на странице с ценами.
Полупроводниковые приборы, содержащие один p – n переход, называются диодами. Сопротивление запирающего слоя p – n перехода можно изменять с помощью внешнего электрического поля.
Если приложенное к p – n переходу внешнее электрическое поле Е направлено противоположно полю контактного слоя Ек, то оно вызывает движение основных носителей заряда: электронов в n - типе и дырок в р - типе, к границе перехода, т.е. навстречу друг другу. При этом толщина слоя (d) и его сопротивление уменьшаются и через диод течет ток основных носителей заряда. Такое направление называется прямым или пропускным.
Если приложенное к p-n-переходу электрическое поле совпадает по направлению с полем контактного слоя Ек, то оно вызывает движение электронов в n - типе и дырок в р - типе в противоположные стороны от границы перехода. При этом запирающий слой (d) расширяется, его сопротивление возрастает, и ток через диод практически не течет. Такое направление внешнего электрического поля называется обратным или запирающим. Таким образом, диод обладает односторонней проводимостью, т.е. пропускает ток только в одном направлении.
Из ВАХ диода видно, что сила тока основных носителей заряда через диод быстро возрастает с ростом прямого напряжения. Такой ток называется прямым. При обратном напряжении внешнее поле препятствует движению основных носителей заряда к границе p – n перехода и небольшой обратный ток через диод полностью обусловлен не основными носителями. Резкое возрастание обратного тока означает пробой контактного слоя и его разрушение. Односторонняя проводимость диода широко используется для выпрямления переменного тока.
VII. ЭЛЕМЕНТЫ ФИЗИКИ АТОМНОГО ЯДРА И ЭЛЕМЕНТАРНЫХ ЧАСТИЦ
