Слишком сложно? Тогда запросите консультацию специалиста!
Наша компания занимается тем, что помогает студентам выполнять различные учебные работы на заказ. Вы можете ознакомиться с перечнем выполняемых работ, а так же с их стоимостью на странице с ценами.
МДП-ТРАНЗИСТОРЫ
В транзисторах со структурой металл диэлектрик полупроводник принцип работы основан на модуляции сопротивления канала, на поверхности полупроводника под воздействием эффекта поля. МДП транзисторы являются униполярными приборами т. к. их работа основана на использовании только одного типа носителей заряда или электронов или дырок. Процессы инжекции в МДП транзисторе не используются из-за их полного отсутствия (инжекция возможна только при наличии контакта полупроводников с разными типами проводимости). Существует две структуры МДП транзисторов с индуцированным каналом или со встроенным.
Схема конструкции транзистора этого вида имеет вид:
В полупроводниковой подложке p-типа сформировано две высоколегированные 
области – исток и сток. Металлический электрод – затвор отделен от подложки тонким слоем диэлектрика.
Основными параметрами МДП транзистора являются:
длина канала – l
ширина канала – b
толщина слоя диэлектрика – t
глубина переходов области – 
уровень легирования подложки – 
.
Управляющей цепью в МДП транзисторе является цепь затвора, управляемой – цепь исток-сток. Управляющая цепь практически не потребляет тока, поскольку в нее входит участок с диэлектриком. Поэтому в МДП транзисторе получается значительное усиление мощности, намного больше, чем в биполярном транзисторе. Если напряжение на затворе отсутствует то электрическая цепь исток-сток представляет собой два встречновключенных 
перехода. Поэтому при любой полярности напряжения исток-сток один из переходов смещается в обратном направлении и в выходной цепи будет протекать ток обратносмещенного p-n перехода. Если к затвору приложен достаточно большой положительный потенциал, в p области образуется (индуцируется) инверсный канал за счет притяжения электронов из объема подложки к поверхности, возникает структура 
. Проводимость инверсного канала (коэффициент усиления) изменяется при изменении потенциала на затворе. Напряжение на затворе при котором образуется канал называется пороговым напряжением и обозначается 
. Если в качестве подложки использовать полупроводник n-типа, а области истока и стока выполнить с электропроводностью 
-типа, то сформируется p-канальный МДП транзистор.
