Слишком сложно? Тогда запросите консультацию специалиста!
Наша компания занимается тем, что помогает студентам выполнять различные учебные работы на заказ. Вы можете ознакомиться с перечнем выполняемых работ, а так же с их стоимостью на странице с ценами.
Все описанное выше касалось работы транзистора при постоянных напряжениях и токах его электродов. При работе транзисторов в усилительных схемах важную роль играют переменные сигналы с малыми амплитудами. Свойства транзистора в этом случае определяются так называемыми малосигнальными параметрами.
На практике наибольшее применение получили малосигнальные h-параметры (читается: аш-параметры). Их называют также гибридными, или смешанными, из-за того, что одни из них имеют размерность проводимости, другие — сопротивления, а третьи — вообще безразмерные.
Всего h-параметров четыре: h11 (аш-один-один), h12 (аш-один-два), h21 (аш-два-один) и h22 (аш-два-два) и определяются они следующими выражениями:
при Uвх = const
Запись const является сокращением слова constanta, то есть постоянная величина. В данном случае это означает, что при определении параметра h11 приращения входного напряжения 
и входного тока 
выбираются при неизменном (постоянном) значении выходного напряжения Uвых. Параметр h11 характеризует входное сопротивление биполярного транзистора и измеряется в омах. Более кратко выражение для определения параметра h11 записывают в виде:
при Uвых = const
Параметры h12, h21 и h22 определяются следующими выражениями:
_ - коэффициент обратной связи по на-
Iвх = const пряжению, безразмерная величина;
— коэффициент прямой передачи по
Uвых = const току, безразмерная величина;
— выходная проводимость, измеряется
Iвх = const в сименсах (См).
Знак 
означает небольшое изменение напряжения U или тока I относительно их значений в статическом режиме.
Все h-параметры можно определить по статическим характеристикам. При этом параметры h11 и h12 определяются по входным, a h21 и h22 — по выходным характеристикам. Необходимо только иметь в виду, что значения h-параметров зависят от схемы включения транзистора. Для указания схемы включения к цифровым индексам h-параметров добавляется буквенный индекс: б — если транзистор включен по схеме ОБ, или э — если транзистор включен по схеме ОЭ. Кроме того, приращения входных и выходных токов и напряжений нужно заменить приращениями напряжений и токов соответствующих электродов транзистора с учетом конкретной схемы включения (рис. 9).
Значения h-параметров зависят от режима работы транзистора, т. е. от
| а б Рис. 9. Токи и напряжения транзистора в схемах с ОЭ (а) и ОБ (б) |
 |
напряжений и токов его электродов. Режим работы транзистора опре-
Рис. 10. Определение статических h-параметров транзистора по его статическим характеристикам деляется на характеристиках положением рабочей точки, которую будем обозначать в дальнейшем буквой А. Если указано положение рабочей точки А на семействе статических входных характеристик транзистора, включенного по схеме ОЭ (рис. 10, а), параметры h11ээ и h12э определяются следующим образом:
Параметры h21э и h22э определяются в рабочей точке А по выходным характеристикам (рис. 10, б) в соответствии с формулами:
Аналогично рассчитываются h-параметры для схемы ОБ.
При расчете параметров h12 и h21 надо токи и напряжения подставлять в формулы в основных единицах измерения.
Параметр h21б называют коэффициентом передачи тока в схеме ОБ, a h21э — коэффициентом передачи тока в схеме ОЭ. В отличие от статических коэффициентов передачи h21Б и h21Е, рассчитываемых как отношение выходного тока к входному в схемах ОБ и ОЭ, параметры h21б и h21э определяются как отношения изменений выходных токов к вызвавшим их изменениям входных токов. Иными словами, параметры h21б и h21э характеризуют усилительные свойства транзистора по току для переменных сигналов.
